01451nam a2200361 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003000093245023600123300003000359545004400389545004400433545004400477545004400521545004700565545004400612653007600656700001900732700001400751700001400765700001400779700004800793700001400841773012500855900001700980900001800997900001801015900001801033900001901051900001901070KSI00015546120040209194220031215s1995    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎc4(1)00aα-Si의 contact hole 수의 증가에 따른 MIM antifuse의 전기적 특성=xElectrical characteristics of MIM antifuse with contact hole numbers of α-Si./d이상기,e김용주,e임원택,e이동윤,e권오경,e이창효  ap. 46-50:b삽도;c26 cm  a이상기, 한양대학교 물리학과  a김용주, 한양대학교 물리학과  a임원택, 한양대학교 물리학과  a이동윤, 한양대학교 물리학과  a권오경, 한양대학교 전자공학과  a이창효, 한양대학교 물리학과  aα-SiaContact holeaMIM antifuseaElectricalaCharacteristicsaNumbers1 a이상기4aut1 a김용주1 a임원택1 a이동윤1 a권오경,g權五敬,d1955-0KAC2012312611 a이창효0 t韓國眞空學會誌.d韓國眞空學會.g4권 1호(1995년 3월), p. 46-50q4:1<46w(011001)KSE199508370,x1225-882210aLee, Sang Gi10aKim, Yoong Ju10aLim, Won Taeg10aLee, Dong Yun10aKwon, Oh Kyong10aLee, Chang Hyo