01903nam a2200433 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003000093245026000123300003200383545004400415545004400459545004400503545006300547545006300610545006300673545005900736545004400795653010400839700004100943700001400984700003600998700003601034700003601070700003601106700003601142700001401178773012901192900001801321900001701339900001801356900002101374900001901395900001901414900002001433900001601453KSI00015535920040219194219031215s1994    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎc3(1)00a동시증착에 의한 Si(111)-7×7 기판 위에 TiSi₂ 에피택셜 성장=xIn situ epitaxial growth of the tisi2 on si(111)-7×7 substrate by codeposition/d최치규,e류재연,e오상식,e염병렬,e박형호,e조경익,e이정용,e김건호  ap. 405-413:b삽도;c26 cm  a최치규, 제주대학교 물리학과  a류재연, 제주대학교 물리학과  a오상식, 제주대학교 물리학과  a염병렬, 한국전자통신연구소 반도체 연구단  a박형호, 한국전자통신연구소 반도체 연구단  a조경익, 한국전자통신연구소 반도체 연구단  a이정용, 한국과학기술원 전자재료공학과  a김건호, 경상대학교 물리학과  a동시증착aSi(111)-7×7 기판aTiSi₂a에피택셜aEpitaxial growthaSubstrateaCodeposition1 a최치규,d1947-0KAC2017079644aut1 a류재연1 a오상식,d1957-0KAC2020670291 a염병렬,d1959-0KAC2018355761 a박형호,d1958-0KAC2017452501 a조경익,d1955-0KAC2014014321 a이정용,d1951-0KAC2013292771 a김건호0 t韓國眞空學會誌.d韓國眞空學會.g3권 4호(1994년 11월), p. 405-413q3:4<405w(011001)KSE199508370,x1225-882210aChoi, Chi Kyu10aRyu, Jai Yon10aOh, Sang Shik10aRyum, Byung Ryul10aPark, Hyung Ho10aCho, Kyoung Ik10aLee, Jeong Yong10aKim, Kun Ho