01170nam a2200253 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245020400121300003200325545006100357545006100418545007300479653009000552700001900642700001400661700004800675773013900723900001800862900001700880900001900897KSI00017338320040212184116031217s1996    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483c33(1.5)00aBaMgF₄를 이용한 금속-강유전체박막-실리콘(MFS) 구조의 특성=xProperties of metal-ferroelectric thin film-silicon(MFS) structure using BaMgF₄/d金光浩,e金濟德,e兪炳坤  ap. 102-107:b삽도;c26 cm  a김광호, 정회원, 청주대학교 반도체공학과  a김제덕, 정회원, 청주대학교 반도체공학과  a유병곤, 정회원, 한국전자통신연구소 반도체연구단  a금속-강유전체박막-실리콘aBaMgF₄aMetal-ferroelectricaThin film-silicon1 a김강호4aut1 a김제덕1 a유병곤,g兪炳坤,d1957-0KAC2018211030 t電子工學會論文誌. A.d大韓電子工學會.g33卷 5號(1996년 5월), p. 102-107q33:5<102w(011001)KSE199508730,x1016-135X10aKim, Kwang-Ho10aKim, Je-Deok10aYu, Byoung-Gon