01605na  a2200361   4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245022000121300003200341545005800373545005800431545005800489545005800547545005800605545005800663653008200721700001900803700001400822700004800836700004800884700005200932700001400984773013900998900001801137900001701155900001701172900001801189900001901207900001701226KSI00017329320040212184114031217s1996    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483c33(1.3)00aDeep Submicrometer PMOSFET의 Hot Carrier 현상과 소자 노쇠화=xHot carrier effects and device degradation in deep submicrometer PMOSFET/d張星俊,e金容鐸,e劉宗根,e朴鍾泰,e朴炳國,e李鍾德  ap. 129-135:b삽도;c26 cm  a장성준, 준회원, 인천대학교 전자공학과  a김용탁, 준회원, 인천대학교 전자공학과  a유종근, 정회원, 인천대학교 전자공학과  a박종태, 정회원, 인천대학교 전자공학과  a박병국, 정회원, 서울대학교 전자공학과  a이종덕, 정회원, 서울대학교 전자공학과  aDeep submicrometer pmosfetaHot carriera소자 노쇠화aDevice degradation1 a장성준4aut1 a김용탁1 a유종근,g劉宗根,d1963-0KAC2018345411 a박종태,g朴鍾泰,d1958-0KAC2018268981 a박병국,g朴炳國,d1959-20220KAC2014096551 a이종덕0 t電子工學會論文誌. A.d大韓電子工學會.g33卷 4號(1996년 4월), p. 129-135q33:4<129w(011001)KSE199508730,x1016-135X10aJang, Sung J.10aKim, Yong T.10aYu, Chong K.10aPark, Jong T.10aPark, Byung K.10aLee, Jong D.