01513nam a2200325 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245024500121300003000366545005800396545005800454545005800512545006100570545005500631653017300686700001400859700001400873700001400887700004800901700001100949773013800960900001901098900001901117900002001136900001801156900001301174KSI00017315320040212184109031217s1993    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483c30(1.7)00a실리콘 이온 주입후 고상 결정화시킨 다결정 실리콘 TFT의 전기적 특성=xElectrical characteristics of the poly-Si TFT using SPC films after Si ion implantation/d李炳周,e金宰永,e姜文祥,e具用書,e安哲  ap. 51-58:b삽도;c26 cm  a이병주, 정회원, 서강대학교 전자공학과  a김재영, 정회원, 서강대학교 전자공학과  a강문상, 정회원, 서강대학교 전자공학과  a구용서, 정회원, 서경대학교 컴퓨터공학과  a안철, 정회원, 서강대학교 전자공학과  a실리콘이온주입a고상결정화a다결정실리콘aTfta전기적특성aPoly-siaElectricalaCharacteristicsaPolysiaUsingaSpcaFilmsaSiaIonaImplantation1 a이병주1 a김재영1 a강문상1 a구용서,g具用書,d1957-0KAC2018523381 a안철0 t電子工學會論文誌.A.d大韓電子工學會.g30卷 10號(1993년 10월), p. 51-58q30:10<51w(011001)KSE199508730,x1016-135X10aLee, Byoung Ju10aKim, Jae Yeong10aKang, Moun Sang10aKoo, Yong-Seo10aAn, Chul