01267na  a2200289   4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245016200121300003200283545006400315545006100379545006400440545006400504653004500568700001900613700003600632700004800668700004800716773013900764900001800903900001900921900001800940900001900958KSI00017314920040212184109031217s1996    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483c33(1.3)00a열처리된 SiO₂/TiW 구조의 계면 특성=xThe interfacial properties of th eanneled SiO/TiW structure/d李在成,e朴瀅浩,e李正熙,e李龍鉉  ap. 117-125:b삽도;c26 cm  a이재성, 정회원, 경북대학교 전자전기공학부  a박형호, 정회원, 연세대학교 세라믹공학과  a이정희, 정회원, 경북대학교 전자전기공학부  a이용현, 정회원, 경북대학교 전자전기공학부  aSiO₂/TiW구조aInterfacial properties1 a이재성4aut1 a박형호,d1958-0KAC2017452501 a이정희,g李正熙,d1957-0KAC2018348701 a이용현,g李龍鉉,d1946-0KAC2018159810 t電子工學會論文誌. A.d大韓電子工學會.g33卷 3號(1996년 3월), p. 117-125q33:3<117w(011001)KSE199508730,x1016-135X10aLee, Jae Sung10aPark, Hyung Ho10aLee, Jung Hee10aLee, Yong Hyun