01166nam a2200253 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245019100121300003000312545005800342545005800400545005800458653008600516700001900602700004800621700004800669773013600717900001800853900002100871900002000892KSI00017313320040212184108031217s1996    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483c33(1.3)00a격자온도 불균일 조건에서 SOI n-MOSFET의 전기적 특성=xElectrical properties of SOI n-MOSFET's under nonisothermal lattice temperature/d金珍洋,e朴榮俊,e閔弘植  ap. 89-95:b삽도;c26 cm  a김진양, 정회원, 서울대학교 전자공학과  a박영준, 정회원, 서울대학교 전자공학과  a민홍식, 정회원, 서울대학교 전자공학과  a격자온도a불균일aSOI n-MOSFETaElectrical propertiesaLattice temperature1 a김진양4aut1 a박영준,g朴榮俊,d1952-0KAC2012317991 a민홍식,g閔泓植,d1968-0KAC2018601130 t電子工學會論文誌. A.d大韓電子工學會.g33卷 3號(1996년 3월), p. 89-95q33:3<89w(011001)KSE199508730,x1016-135X10aKim, Jin Yang10aPark, Young June10aMin, Hong Shick