01425nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245025400121300003000375545005800405545005800463545005800521545005800579653015900637700001900796700004800815700001400863700004800877773013500925900001701060900002101077900001801098900001901116 KSI000172475 20040212184054 031217s1993 ulka 000 kor a011001 0 akor beng 01 a569.05 b대483 c30(1.1) 00 aRecess 산화를 이용한 자기정렬 $$n^+$$-p 폴리실리콘-실리콘 접합구조= xSelf-aligned $$n^+$$-p polusilicon-silicon junction structure using the recess oxidation/ d李宗昊, e朴榮俊, e李鍾德, e許昌洙 ap. 38-48: b삽도; c26 cm a이종호, 정회원. 서울대학교 전자공학과 a박영준, 정회원. 서울대학교 전자공학과 a이종덕, 정회원. 서울대학교 전자공학과 a허창수, 정회원. 인하대학교 전자공학과 aN+-p a폴리실리콘 a실리콘 aRecess산화 a자기정렬 a접합구조 aSelf-aligned aPolusilicon-silicon aSelfaligned aJunction aStructure aOxidation 1 a이종호 4aut 1 a박영준, g朴榮俊, d1952- 0KAC201231799 1 a이종덕 1 a허창수, g許昌洙, d1955- 0KAC201824225 0 t電子工學會論文誌.A. d大韓電子工學會. g30卷 6號(1993년 6월), p. 38-48 q30:6<38 w(011001)KSE199508730, x1016-135X 10 aLee, Jong Ho 10 aPark, Young June 10 aLee, Jong Duk 10 aHeo, Chang Soo