01233na  a2200217   4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245030300121300003200424545005700456545005700513653017000570700005300740700004800793773013900841900001600980900001900996KSI00016373020040212184027031216s1995    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483c32(1.5)00a1 Giga급 집적회로 구현을 위한 3차원 산화 공정 시뮬레이터 개발 및 산화층 성장 특성 분석에 관한 연구=xDevelopment of three-dimensional thermal oxidation process simulator and analysis the characteristics of multi-dimensional oxide growth/d李俊賀,e黃好正  ap. 107-118:b삽도;c26 cm  a이준하, 정회원 중앙대학교 전자공학과  a황호정, 정회원 중앙대학교 전자공학과  a1 Giga급a집적회로a3차원a산화공정a시뮬레이터a산화층aThree-dimensionalaMulti-dimensionalaThermal oxidationaSimulator analysisaOxide growth1 a이준하,g李俊賀,d1966-0KAC2019262684aut1 a황호정,g黃好正,d1946-0KAC2014243580 t電子工學會論文誌. A.d大韓電子工學會.g32卷 8號(1995년 8월), p. 107-118q32:8<107w(011001)KSE199508730,x1016-135X10aLee, Jun-ha10aHwang, Ho-jung