01427nam a2200325 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245022200121300003000343545005900373545005800432545005800490545005800548545005500606653011000661700001900771700001400790700001400804700004800818700001100866773013800877900001901015900002001034900001701054900001701071900001301088KSI00016369820040212184026031216s1992    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483c29(1.1)00a재결정화된 다결정 nMOSFET의 제작 및 그 전기적 특성=xFabrication of the recrystallized poly silicon nMOSFET and its electrical characteristics/d金柱榮,e姜文祥,e金基洪,e具用書,e安哲  ap. 91-96:b삽도;c26 cm  a김주영, 정회원, 현대전자 반도체 연구소  a강문상, 정회원, 서강대학교 전자공학과  a김기홍, 정회원, 서강대학교 전자공학과  a구용서, 정회원, 서강대학교 전자공학과  a안철, 정회원, 서강대학교 전자공학과  a재결정화a다결정aNMOSFETaFabricationaRecrystallizedaPolyaSiliconaElectricalaCharacteristics1 a김주영4aut1 a강문상1 a김기홍1 a구용서,g具用書,d1957-0KAC2018523381 a안철0 t電子工學會論文誌.A.d大韓電子工學會.g29卷 11號(1992년 11월), p. 91-96q29:11<91w(011001)KSE199508730,x1016-135X10aKim, Joo Young10aKang, Moun Sang10aKim, Gi Hong10aKu, Yong Seo10aAn, Chul