01585na  a2200361   4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245020200121300003000323545005800353545005800411545005800469545005800527545005800585545005800643653008600701700001900787700001400806700004800820700004800868700005200916700001400968773013600982900001701118900001701135900001701152900001801169900001901187900001701206KSI00016359920040212184019031216s1995    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483c32(1.5)00a양 방향 Hot Carrier 스트레스에 의한 PMOSFET 노쇠화=xPMOSFET degradation due to bidirectional hot carrier stress/d金容鐸,e金德起,e劉宗根,e朴鍾泰,e朴炳國,e李鍾德  ap. 59-66:b삽도;c26 cm  a김용탁, 정회원, 인천대학교 전자공학과  a김덕기, 정회원, 인천대학교 전자공학과  a유종근, 정회원, 인천대학교 전자공학과  a박종태, 정회원, 인천대학교 전자공학과  a박병국, 정회원, 서울대학교 전자공학과  a이종덕, 정회원, 서울대학교 전자공학과  aHot carrier 스트레스aPMOSFET노쇠화aDegradation dueaBidirectional stress1 a김용탁4aut1 a김덕기1 a유종근,g劉宗根,d1963-0KAC2018345411 a박종태,g朴鍾泰,d1958-0KAC2018268981 a박병국,g朴炳國,d1959-20220KAC2014096551 a이종덕0 t電子工學會論文誌. A.d大韓電子工學會.g32卷 6號(1995년 6월), p. 59-66q32:6<59w(011001)KSE199508730,x1016-135X10aKim, Yong T.10aKim, Deok K.10aYu, Chong K.10aPark, Jong T.10aPark, Byung K.10aLee, Jong D.