01590nam a2200325 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245036200121300003000483545005800513545005800571545005800629545006700687545006700754653010500821700005300926700001400979700001400993700001401007700001401021773013601035900001901171900001801190900001901208900001901227900001801246KSI00016359620040212184019031216s1995    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483c32(1.5)00a증착된 비정질 실리콘층을 통한 As-Preamorphization 방법으로 형성된 소오스/드레인을 갖는 deep submicron PMOSFET의 제작=xFabrication of deep submicron PMOSFET with the source/drain formed by the mothod of As-Preamorphization though the predeposited amorphous Si layer/d權相直,e金如換,e申永和,e金鍾焌,e李鐘德  ap. 51-58:b삽도;c26 cm  a권상직, 정회원, 경원대학교 전자공학과  a김여환, 정회원, 관동대학교 전자공학과  a신영화, 정회원, 경원대학교 전자공학과  a김종준, 정회원, 서울대학교 반도체공동연구소  a이종덕, 정회원, 서울대학교 반도체공동연구소  aAs-Preamorphizationa비정질a실리콘a소오스/드레인aDeep submicronaPMOSFETaFabrication1 a권상직,g權相直,d1959-0KAC2017017954aut1 a김여환1 a신영화1 a김종준1 a이종덕0 t電子工學會論文誌. A.d大韓電子工學會.g32卷 6號(1995년 6월), p. 51-58q32:6<51w(011001)KSE199508730,x1016-135X10aKwon, Sang Jik10aKim, Yeo Hwan10aSin, Young Wha10aKim, Jong Joon10aLee, Jong Duk