01509nam a2200253 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245034900121300003200470545008900502545008900591545008900680653017300769700001900942700004800961700004801009773013901057900001801196900002001214900002101234KSI00016323020040212184007031216s1995    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483c32(1.1)00a다단자 반도체 소자에서의 steady-state Nyquist 정리를 이용한 FET의 회소 잡음 지수 및 최적 소오스 임피던스 모델링=xModeling of the minimum noise figure and the optimum source impedance of FETs using the steady-state nyquist theorem for multi-terminal semiconductor devices/d李禎培,e閔弘植,e朴榮俊  ap. 110-117:b삽도;c26 cm  a이정배, 정회원, 서울대학교 전자공학과 및 반도체 공동 연구소  a민홍식, 정회원, 서울대학교 전자공학과 및 반도체 공동 연구소  a박영준, 정회원, 서울대학교 전자공학과 및 반도체 공동 연구소  a반도체소자aFET의 회소 잡음지수a소오스 임피던스 모델링aSteady-StateaMulti-terminalaMinimum noise figureaOptimum sourceaSemiconductor devices1 a이정배4aut1 a민홍식,g閔泓植,d1968-0KAC2018601131 a박영준,g朴榮俊,d1952-0KAC2012317990 t電子工學會論文誌. A.d大韓電子工學會.g32卷 3號(1995년 3월), p. 110-117q32:3<110w(011001)KSE199508730,x1016-135X10aLee, Jung-Bae10aMin, Hong-Shick10aPark, Young-June