01363nam a2200253 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245028200121300003200403545005800435545009000493545009000583653012500673700001900798700004800817700004800865773013900913900001801052900002001070900001901090KSI00016322320040212184006031216s1995    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483c32(1.1)00a고온전자의 충돌 이온화 및 게이트 산화막 주입 모델링을 위한 Tail 전자 Hydrodynamic 모델=xTail electron hydrodynamic model for consisten modeling of impact ionization and injection into gate oxide by hot electrons/d安在璥,e朴榮俊,e閔弘植  ap. 100-109:b삽도;c26 cm  a안재경, 정회원, LG반도체(주) ULSI 연구소  a박영준, 정회원, 서울대학교 반도체 공동 연구소 및 전자 공학과  a민홍식, 정회원, 서울대학교 반도체 공동 연구소 및 전자 공학과  a고온전자a이온화a게이트a주입모델링aHydrodynamic modelaIonization injectionaGate oxideaHot electrons1 a안재경4aut1 a박영준,g朴榮俊,d1952-0KAC2012317991 a민홍식,g閔泓植,d1968-0KAC2018601130 t電子工學會論文誌. A.d大韓電子工學會.g32卷 3號(1995년 3월), p. 100-109q32:3<100w(011001)KSE199508730,x1016-135X10aAhn, Jaegyung10aPark, Youngjune10aMin, Hongshick