01370nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245024700121300003200368545005700400545005800457545005700515545005700572653010400629700005300733700001400786700004800800700001400848773013900862900002001001900001901021900002001040900002001060KSI00016274520040212183955031216s1995    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483c32(1.1)00a형상반전공정의 패턴형성시 선폭감소를 이용한 0.25um T-gate MESFET의 제작=x0.25um T-gate MESFET fabrication by using the size reduction of pattern in image reversal process/d楊典旭,e金鳳烈,e朴喆淳,e朴亨茂  ap. 185-192:b삽도;c26 cm  a양전욱, 정회원, 한국 전자 통신 연구소  a김봉열, 정회원, 연세대학교 전자공학과  a박철순, 정회원, 한국 전자 통신 연구소  a박형무, 정회원, 한국 전자 통신 연구소  a형상반전공정a패턴형성시a선폭감소a0.25um T-gate MESFETaFabricationaPattern image1 a양전욱,g楊典旭,d1958-0KAC2017066154aut1 a김봉열1 a박철순,g朴喆淳,d1958-0KAC2018390181 a박형무0 t電子工學會論文誌. A.d大韓電子工學會.g32卷 1號(1995년 1월), p. 185-192q32:1<185w(011001)KSE199508730,x1016-135X10aYang, Jeon Wook10aKim, Bong Ryul10aPark, Chul Soon10aPark, Hyung Moo