01697nam a2200361 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245026700121300003200388545006200420545006200482545006200544545006200606545006200668545006200730653013100792700001900923700001400942700003600956700001400992700003601006700003601042773014201078900001901220900001701239900001701256900002101273900002101294900002001315KSI00016101920040212183932031216s1994    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483c31(1.9)00aAPCVD를 이용한 SiGe 베이스 이종 접합 바이폴라 소자 제작 및 특성 분석=xFabrication and characteristics of the SiGe base heterojunction bipolar transistors using APCVD/d韓泰鉉e,李秀珉,e趙德鎬,e李成玹,e簾炳烈,e姜鎭榮  ap. 124-130:b삽도;c26 cm  a한태현, 한국전자통신연구소 반도체연구단  a이수민, 한국전자통신연구소 반도체연구단  a조덕호, 한국전자통신연구소 반도체연구단  a이성현, 한국전자통신연구소 반도체연구단  a염병렬, 한국전자통신연구소 반도체연구단  a강진영, 한국전자통신연구소 반도체연구단  aAPCVDaSiGea베이스a이종접합a바이폴라a소자aFabricationaCharacteristicsaHeterojunctionaBipolaraTransistors1 a한태현4aut1 a이수민1 a조덕호,d1962-0KAC2018457251 a이성현1 a염병렬,d1959-0KAC2018355761 a강진영,d1953-0KAC2018494800 t電子工學會論文誌. A.d大韓電子工學會.g31卷 11號(1994년 11월), p. 124-130q31:11<124w(011001)KSE199508730,x1016-135X10aHan, Tae Hyeon10aLee, Soo Min10aCho, Deok Ho10aLee, Seong Hearn10aRyum, Byung Ryul10aKang, Jin Young