01266nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245020500121300003100326545004700357545004700404545004400451545005300495653010200548700005300650700001400703700003600717700001400753773013700767900001800904900001800922900002000940900001600960KSI00015750420040212183911031215s1994    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483c31(1.9)00aLow Temperature (LT) GaAs 에피층의 성장과 그 특성연구=x(The)growth and its characteristics of low temperature(LT. 250.deg. C) GaAS Epilayer/d金泰根,e朴廷浩,e趙燻永,e閔碩基  ap. 96-103:b삽도;c26 cm  a김태근, 고려대학교 전자공학과  a박정호, 고려대학교 전자공학과  a조훈영, 동국대학교 물리학과  a민석기, 한국과학기술원 정보전자부  aTemperatureaLtaGaAsa에피층a성장a특성연구aGrowthaCharacteristicsa250℃aEpilayer1 a김태근,g金泰根,d1966-0KAC2018386724aut1 a박정호1 a조훈영,d1960-0KAC2017277711 a민석기0 t電子工學會論文誌. A.d大韓電子工學會.g31卷 9號(1994년 9월), p. 96-103q31:9<96w(011001)KSE199508730,x1016-135X10aKim, Tae Geun10aPark, Jung Ho10aCho, Hoon Young10aMin, Suk Ki