01604nam a2200325 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003000093245035200123300002800475545006600503545005500569545005500624545006300679545006300742653011100805700001900916700003600935700003600971700001401007700001401021773015601035900002001191900001701211900001601228900001701244900001701261KSI00016271620040213190227031216s2002    gnka          000   kor    a0110010 akorbeng01a427.6205b한625ㅎc4(1)00a28 A/cm²∼ 940 A/cm²의 임계전류밀도 범위로 제작된 Nb/Al-Al<TEX>$$O_x$$</TEX>/Nb 터널접합의 전기적 특성=xElectrical characteristics of Nb/Al-Al<TEX>$$O_x$$</TEX>/Nb tunnel junction fabricated with <TEX>$$I_c$$</TEX> values in the range of 28 A/cm²∼940 A/cm²/d홍현권,e김규태,e박세일,e김구현,e남두우  ap. 4-7:b삽도;c30 cm  a홍현권, 학생회원 : 충북대 대학원 전자공학과  a김규태, 정회원 : 한국표준과학연구원  a박세일, 정회원 : 한국표준과학연구원  a김구현, 학생회원 : 충북대 대학원 물리학과  a남두우, 학생회원 : 인천대 대학원 물리학과  aJosephson tunnel junctiona임계전류밀도a터널접합aCritical current densityaVoltage fluctuation1 a홍현권4aut1 a김규태,d1009-0KAC2018375821 a박세일,d1961-0KAC2018438221 a김구현1 a남두우0 t한국초전도·저온공학회논문지.d한국초전도·저온공학회.g4권 1호(2002년 5월), p. 4-7q4:1<4w(011001)KSE199902341,x1229-300810aHong, Hyun-Kwon10aKim, Kyu-Tae10aPark, Se-Il10aKim, Gu-Hyun10aNam, Doo-Woo