01261nam a2200265 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002500093245014700118300003200265545004700297545004700344545005000391653015700441700004800598700003600646700005300682773018600735856002000921900001800941900001800959900001800977KSI00014651320040214185715031211s1996    ggka          000   kor    a0110010 akorbeng01a505b제577ㅅc7(2)00a벌크 GaAs 반도체의 광 스위칭 특성=xPhoto-switching characteristics of bulk gaas semiconductor/d고성택,e강민제,e조경호  ap. 133-141:b삽도;c26 cm  a고성택, 제주대학교 전자공학과  a강민제, 제주대학교 전자공학과  a조경호, 제주대학교 에너지공학과  aDeep impuritiesaGaAsaOptically controlled semiconductor switcha벌크a반도체a광스위칭aPhoto-switchingaCharacteristicsaBulkaSemiconductor1 a조경호,g趙慶鎬,d1955-0KAC2018359331 a강민제,d1958-0KAC2016211371 a고성택,g高誠澤,d1955-0KAC2018463174aut0 t産業技術硏究所論文集-제주대학교 산업기술연구소.d濟州大學校 産業技術硏究所.g제7권 2호(1996년 12월), p. 133-141q7:2<133w(011001)KSE19960101740u2039114aKd00210aKang, Min-Jae10aKo, Sung-Taek10aCho, Kyung-Ho