01567nam a2200361 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052004000093245021900133300003400352545005300386545005300439545005300492545007000545545005600615545005600671653006000727700001900787700003600806700001400842700004800856700001400904700001400918773016100932900001701093900001801110900002001128900001801148900002001166900001901186KSI00005471420040114083407031010s2002    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc15(7)-15(12)00aCF₄/O₂ gas chemistry에 의해 식각된 Ru 박막의 표면 반응=xSurface reaction of Ru thin films etched in CF₄/O₂ gas chemistry/d임규태,e김동표,e김경태,e김창일,e최장현,e송준태  ap. 1016-1020:b삽도;c26 cm  a임규태, 중앙대학교 전자전기공학부  a김동표, 중앙대학교 전자전기공학부  a김경태, 중앙대학교 전자전기공학부  a김창일, 중앙대학교 전자전기공학부bcikim@cau.ac.kr  a최장현, 성균관대학교 정보통신공학부  a송준태, 성균관대학교 정보통신공학부  a박막a표면반응aRuaEtchingaCF₄/O₂aICPaOES1 a임규태4aut1 a김동표,d1972-0KAC2016361161 a김경태1 a김창일,g金昌日,d1960-0KAC2018385741 a최장현1 a송준태0 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.15 no.12(2002년 12월), p. 1016-1020q15:12<1016w(011001)KSE199800338,x1226-794510aLim, Kyu-Tae10aKim, Dong-Pyo10aKim, Kyoung-Tae10aKim, Chang-Il10aChoi, Jang-Hyun10aSong, Joon-Tae