01387nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052004000093245018300133300003200316545008300348545006500431545006500496545006500561653008400626700005300710700001400763700004800777700003600825773015800861900001701019900001801036900002501054900001801079KSI00005468720040114083404031010s2002    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc15(7)-15(12)00a다양한 기울기를 갖는 TEOS 필드 산화막의 경사식각=xTapered etching of field oxide with various angle using TEOS/d김상기,e박일용,e구진근,e김종대  ap. 844-850:b삽도;c26 cm  a김상기, 한국전자통신연구원 집적회로연구부bsgkim@etri.re.kr  a박일용, 한국전자통신연구원 집적회로연구부  a구진근, 한국전자통신연구원 집적회로연구부  a김종대, 한국전자통신연구원 집적회로연구부  a기울기a산화막aEtch rateaTapered etchaTEOS oxideaLateral devicesaSEM1 a김상기,g金相基,d1957-0KAC2018453504aut1 a박일용1 a구진근,g具珍根,d1956-0KAC2016372351 a김종대,d1954-0KAC2018479390 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.15 no.10(2002년 10월), p. 844-850q15:10<844w(011001)KSE199800338,x1226-794510aKim, Sang Gi10aPark, Il Yong10aKoo, Jin Gun,d1956-10aKim, Jong Dae