01549nam a2200325 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052004000093245027500133300003200408545004700440545004700487545004700534545004700581545007300628653013600701700005300837700001400890700004800904700001400952700001400966773015500980900001701135900001601152900001701168900001801185900002001203KSI00005467320040207083402031010s2002    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc15(7)-15(12)00a인텔리전트 파워 IC의 구현을 위한 횡형 트렌치 전극형 IGBT의 제작 및 그 전기적 특성에 관한 연구=x(A)novel lateral trench electrode IGBT for superior electrical characteristics/d강이구,e오대석,e김대원,e김대종,e성만영  ap. 758-763:b삽도;c26 cm  a강이구, 고려대학교 전기공학과  a오대석, 고려대학교 전기공학과  a김대원, 고려대학교 전기공학과  a김대종, 고려대학교 전기공학과  a성만영, 고려대학교 전기공학과bsemicad@mail.korea.ac.kr  a인텔리전트a트렌치aTrench elctrodeaLatch-upaForward blocking voltageaHigh speedaLTEIGBTaLateral trench electrode IGBT1 a강이구,g姜二求,d1967-0KAC2016364784aut1 a오대석1 a김대원,g金大元,d1986-0KAC2023203001 a김대종1 a성만영0 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.15 no.9(2002년 9월), p. 758-763q15:9<758w(011001)KSE199800338,x1226-794510aKang, Ey Goo10aOh, Dae Suk10aKim, Dae Won10aKim, Dae Jong10aSung, Man Young