01311nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245021100132300003200343545007000375545005300445545005300498545005300551653007000604700001900674700003600693700004800729700001400777773015500791900002000946900001800966900001800984900001901002KSI00005461620040114083354031010s2002    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc15(1)-15(6)00aAr/CF₄/Cl₂ 플라즈마에 의한 CeO₂ 박막의 식각 특성 연구=x(A)study on etch characteristics of CeO₂ thin film in an Ar/CF₄/Cl₂ plasma/d장윤성,e김동표,e김창일,e장의구  ap. 388-392:b삽도;c26 cm  a장윤성, 중앙대학교 전자전기공학부bcikim@cau.ac.kr  a김동표, 중앙대학교 전자전기공학부  a김창일, 중앙대학교 전자전기공학부  a장의구, 중앙대학교 전자전기공학부  a플라즈마a박막aMFISaCeO₂aEtchingaCI₂/CF₄/AraFRAM1 a장윤성4aut1 a김동표,d1972-0KAC2016361161 a김창일,g金昌日,d1960-0KAC2018385741 a장의구0 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.15 no.5(2002년 5월), p. 388-392q15:5<388w(011001)KSE199800338,x1226-794510aChang Yun-Seong10aKim, Dong-Pyo10aKim, Chang-Il10aChang, Eui-Goo