01210nam a2200253 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245023200132300003200364545005300396545005300449545007000502653009000572700001900662700001400681700004800695773015500743900002000898900002000918900001800938KSI00005460520040207083352031010s2002    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc15(1)-15(6)00aCI₂/CF₄ 플라즈마에 Ar, O₂ 첨가에 따른 PZT 박막의 식각 손상 개선 효과=xReduce of etching damage of PZT thin films with addition of Ar and O₂ in CI₂/CF₄ plasma/d강명구,e김경태,e김창일  ap. 319-324:b삽도;c26 cm  a강명구, 중앙대학교 전자전기공학부  a김경태, 중앙대학교 전자전기공학부  a김창일, 중앙대학교 전자전기공학부bcikim@cau.ac.kr  aCI₂/CF₄a플라즈마aAraO₂a식각aPZTaEtchaFerroelectricaPlasmaaDamage1 a강명구4aut1 a김경태1 a김창일,g金昌日,d1960-0KAC2018385740 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.15 no.4(2002년 4월), p. 319-324q15:4<319w(011001)KSE199800338,x1226-794510aKang, Myoung-Gu10aKim, Kyoung-Tae10aKim, Chang-Il