01436nam a2200325 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245019800132300003200330545007000362545005300432545005300485545005300538545003800591653009000629700005300719700001400772700004800786700001400834700001400848773015500862900001801017900002001035900001801055900001901073900001801092KSI00005460420040207083352031010s2002    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc15(1)-15(6)00a강유전체 YMnO₃ 박막 식각에 대한 CF₄ 첨가효과=xEffect of CF₄ addition on ferroelectric YMnO₃ thin film etching/d박재화,e김경태,e김창일,e장의구,e이철인  ap. 314-318:b삽도;c26 cm  a박재화, 중앙대학교 전자전기공학부bcikim@cau.ac.kr  a김경태, 중앙대학교 전자전기공학부  a김창일, 중앙대학교 전자전기공학부  a장의구, 중앙대학교 전자전기공학부  a이철인, 안산공대 전기과  a강유전체a박막aEtchingaFerroelectricaYMnO₃aICPaCF₄aSidewall passivant1 a박재화,g朴在和,d1965-0KAC2017459384aut1 a김경태1 a김창일,g金昌日,d1960-0KAC2018385741 a장의구1 a이철인0 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.15 no.4(2002년 4월), p. 314-318q15:4<314w(011001)KSE199800338,x1226-794510aPark, Jae-Hwa10aKim, Kyoung-Tae10aKim, Chang-Il10aChang, Eui-Goo10aLee, Cheol-In