01268nam a2200253 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245021600132300003200348545008100380545005600461545005600517653015100573700001900724700001400743700004800757773015500805900001900960900001700979900001800996KSI00005460220040114083352031010s2002    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc15(1)-15(6)00a선형가열기를 이용한 Si∥SiO₂/Si₃N₄∥Si 이종기판쌍의 직접접합=xDirect bonding of Si∥SiO₂/Si₃N₄∥Si wafer pairs with a fast linear annealing/d이상현,e이상돈,e송오성  ap. 301-307:b삽도;c26 cm  a이상현, 서울시립대학교 신소재공학과bshmaker@sidae.uos.ac.kr  a이상돈, 서울시립대학교 신소재공학과  a송오성, 서울시립대학교 신소재공학과  a선형가열기a이종기판쌍aDirect bondingaSi∥SiO₂/Si₃N₄∥Si wafer pairsaFast linear annealingaHeat inputaHeterogeneous bonding1 a이상현4aut1 a이상돈1 a송오성,g宋旿聲,d1964-0KAC2016375900 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.15 no.4(2002년 4월), p. 301-307q15:4<301w(011001)KSE199800338,x1226-794510aLee, Sang Hyun10aYi, Sang Don10aSong, Oh Sung