01112nam a2200217 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245022900132300003200361545006800393545004700461653012700508700005300635700001400688773015500702900001700857900002000874KSI00005458720040114083350031010s2002    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc15(1)-15(6)00a고내압 특성을 위한 진성영역과 트렌치 구조를 갖는 베이스 저항 사이리스터=x(A)novel trench electrode BRT with the intrinsic region for superior electrical characteristics/d강이구,e성만영  ap. 201-207:b삽도;c26 cm  a강이구, 고려대학교 전기공학과bsemicad@korea.ac.kr  a성만영, 고려대학교 전기공학과  a고내압a사이리스터aTrench electrodeaIntrinsic regionaForward blocking voltageaSnab-backaHigh blocking voltage1 a강이구,g姜二求,d1967-0KAC2016364784aut1 a성만영0 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.15 no.3(2002년 3월), p. 201-207q15:3<201w(011001)KSE199800338,x1226-794510aKang, Ey Goo10aSung, Man Young