01166nam a2200253 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052004000093245019400133300003200327545005300359545007000412545003800482653007700520700004100597700004800638700001400686773015800700900001800858900001800876900001800894KSI00005454620040207083344031010s2001    ulka          000   kor    a0110011 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc14(9)-14(12)00aCF₄/Ar 가스 플라즈마를 이용한 YMnO₃ 박막의 식각 반응연구=xEtching mechanism of YMnO₃ thin films in high density CF₄/Ar plasma/d김동표,e김창일,e이철인  ap. 959-964:b삽도;c26 cm  a김동표, 중앙대학교 전자전기공학부  a김창일, 중앙대학교 전자전기공학부bcikim@cau.ac.kr  a이철인, 안산공대 전기과  a플라즈마a박막aFRAMaYMnO₃aEtchingaCF₄/AraICPaXPSaPlasma1 a김동표,d1972-0KAC2016361164aut1 a김창일,g金昌日,d1960-0KAC2018385741 a이철인0 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.14 no.12(2001년 12월), p. 959-964q14:12<959w(011001)KSE199800338,x1226-794510aKim, Dong-Pyo10aKim, Chang-Il10aLee, Cheol-In