01691na  a2200361   4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052004000093245028800133300003200421545007300453545005300526545004300579545004300622545003800665545005300703653009600756700004100852700004800893700004800941700004800989700001401037700001401051773015501065900001801220900001801238900001701256900001801273900001901291900001901310KSI00005450620040207083339031010s2001    ulka          000   kor    a0110011 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc14(9)-14(12)00aCF₄/Ar 플라즈마 내 Cl₂첨가에 의한 SrBi₂Ta₂<TEX>$$O_9$$</TEX> 박막의 식각 특성=xEtching characteristics of SrBi₂Ta₂<TEX>$$O_9$$</TEX> thin film with adding Cl₂ into CF₄/Ar plasma/d김동표,e김창일,e이원재,e유병곤,e김태형,e장의구  ap. 714-719:b삽도;c26 cm  a김동표, 중앙대학교 전기전자공학부bdpkim@ms.cau.ac.kr  a김창일, 중앙대학교 전기전자공학부  a이원재, 한국전자통신연구소  a유병곤, 한국전자통신연구소  a김태형, 여주대학 전기과  a장의구, 중앙대학교 전기전자공학부  a플라즈마a박막aSBTaCl₂/CF₄/Ar plasmaaXPSaSIMSaSrBi₂Ta₂<TEX>$$O_9$$</TEX>1 a김동표,d1972-0KAC2016361164aut1 a김창일,g金昌日,d1960-0KAC2018385741 a이원재,g李元在,d1967-0KAC2018312381 a유병곤,g兪炳坤,d1957-0KAC2018211031 a김태형1 a장의구0 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.14 no.9(2001년 9월), p. 714-719q14:9<714w(011001)KSE199800338,x1226-794510aKim, Dong-Pyo10aKim, Chang-Il10aLee, Won-Jae10aYu, Byung-Gon10aKim, Tae-Hyung10aChang, Eui-Goo