01856nam a2200361 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245033400132300003200466545009400498545007000592545004100662545004100703545007000744545007000814653015500884700005301039700001401092700001401106700001401120700004801134700004801182773015501230900001901385900001801404900001901422900001901441900001501460900001901475KSI00005448120040207083336031010s2001    ulka          000   kor    a0110011 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc14(5)-14(8)00aRF magnetron 스퍼터링법으로 성장시킨 Ba(Z<TEX>$$r_{0.2}$$</TEX>T<TEX>$$i_{0.8}$$</TEX>)O₃ 박막의 특성=xPreparation and properties of Ba(Z<TEX>$$r_{0.2}$$</TEX>T<TEX>$$i_{0.8}$$</TEX>)O₃ thin films grown by RF magnetron sputtering method/d최원석,e장범식,e김진철,e박태석,e이준신,e홍병유  ap. 567-571:b삽도;c26 cm  a최원석, 성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부bfeelws@mail.skku.ac.kr  a장범식, 성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부  a김진철, 삼성전기 기술총괄  a박태석, 삼성전기 기술총괄  a이준신, 성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부  a홍병유, 성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부  a스퍼터링a박막aRF magnetron sputteringaBa(Z<TEX>$$r_x$$</TEX>T<TEX>$$i_{1-x}$$</TEX>)O₃aBZTaThin filmaMLCCaMulti-layer ceramic capacitor1 a최원석,g崔源錫,d1972-0KAC2013106874aut1 a장범식1 a김진철1 a박태석1 a이준신,g李準信,d1962-0KAC2013261741 a홍병유,g洪秉裕,d1960-0KAC2017044750 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.14 no.7(2001년 7월), p. 567-571q14:7<567w(011001)KSE199800338,x1226-794510aChoi, Won Seok10aJang, Bum Sik10aKim, Jin Cheol10aPark, Tae Seok10aYi, Junsin10aHong, Byungyou