01894na a2200397 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245030400132300003200436545007100468545004400539545004400583545004700627545007300674545007300747545007300820653012900893700001901022700003601041700004801077700004801125700001401173700001401187700001401201773015501215900001901370900001601389900002001405900001901425900001701444900001801461900001701479 KSI000054476 20040207083335 031010s2001 ulka 000 kor a011001 1 akor beng 01 a569.205 b한597ㅈㄱ c14(5)-14(8) 00 a분무합성법으로 제작한 α-Ga₂S₃ 및 α-Ga₂S₃:C$$o^2+$$ 박막의 광학적 특성= xOptical properties of undoped and C$$C^2+$$-doped α-Ga₂S₃ thin films by spray pyrolysis/ d김형곤, e김남오, e박태형, e진문석, e김미향, e오석균, e김화택 ap. 539-545: b삽도; c26 cm a김형곤, 조선이공대학 전기과 bhgkim@mail.chosun-c.ac.kr a김남오, 조선이공대학 전기과 a박태형, 원광대학교 물리학과 a진문석, 동신대학교 전자공학과 a김미향, 전남대학교 물리학과, 기초과학지원연구소 a오석균, 전남대학교 물리학과, 기초과학지원연구소 a김화택, 전남대학교 물리학과, 기초과학지원연구소 a분무합성 a박막 aSpray pyrolysis method aPhotoluminescence aElectron transition aOptical energy gap aOptical absorption 1 a김형곤 4aut 1 a김남오, d1967- 0KAC201834514 1 a박태형, g朴泰炯, d1963- 0KAC201637450 1 a진문석, g陳紋碩, d1960- 0KAC201318540 1 a김미향 1 a오석균 1 a김화택 0 t전기전자재료학회논문지. d한국전기전자재료학회. gVol.14 no.7(2001년 7월), p. 539-545 q14:7<539 w(011001)KSE199800338, x1226-7945 10 aKim, Hyung Gon 10 aKim, Nam Oh 10 aPark, Tae Young 10 aJin, Moon Seog 10 aKim, Mi Yang 10 aOh, Seok Kyun 10 aKim, Wha Tek