01575nam a2200325 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245023200132300003200364545010400396545008100500545005400581545004800635545004800683653009100731700005300822700001400875700004800889700001400937700004800951773015500999900002101154900002001175900001801195900001701213900001901230KSI00005443320040207083329031010s2001    ulka          000   kor    a0110011 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc14(1)-14(4)00a인가 바이어스 조건이 전기화학적 식각정지 특성에 미치는 영향=xEffects of applied bias conditions on electrochemical etch-stop characteristics/d정귀상,e강경두,e김태송,e이원재,e송재성  ap. 263-268:b삽도;c26 cm  a정귀상, 동서대학교 정보시스템공학부 메카트로닉스전공bgschung@dongseo.ac.kr  a강경두, 동서대학교 정보시스템공학부 메카트로닉스전공  a김태송, KIST 마이크로시스템연구센터  a이원재, KERI 전자기소자연구그룹  a송재성, KERI 전자기소자연구그룹  a바이어스a식각정지aSOIaSDBaMEMSaElectrochemical etch-stopaLeakage current1 a정귀상,g鄭貴相,d1961-0KAC2017072844aut1 a강경두1 a김태송,g金泰松,d1959-0KAC2016366171 a이원재1 a송재성,g宋在成,d1956-0KAC2016376210 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.14 no.4(2001년 4월), p. 263-268q14:4<263w(011001)KSE199800338,x1226-794510aChung, Gwiy-Sang10aKang, Kyung-Doo10aKim, Tae-Song10aLee, Won-Jae10aSong, Jae-Sung