01494nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245024200132300003000374545009700404545006600501545006600567545006600633653016900699700001900868700001400887700002800901700004800929773015200977900001801129900001901147900001801166900002001184KSI00005440020040207083324031010s2001    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc14(1)-14(4)00a전계효과에 의한 칼코게나이드 박막에서의 광유기 복굴절 특성=x(The)Properties of photoinduced birefringence in chalcogenide thin films by the electric field effects/d장선주,e박종화,e여철호,e정홍배  ap. 58-63:b삽도;c26 cm  a장선주, 광운대학교 공과대학 전자재료공학과bhbchung@daisy.kwangwoon.ac.kr  a박종화, 광운대학교 공과대학 전자재료공학과  a여철호, 광운대학교 공과대학 전자재료공학과  a정홍배, 광운대학교 공과대학 전자재료공학과  a칼코게나이드a광유기aPhotoinduced anisotropyaVAPsaValence alternation pairsaChalcogenide thin filmsaElectric field effectsaPhotoinduced birefringence1 a장선주4aut1 a박종화1 a여철호0KAC2018J64811 a정홍배,g鄭鴻倍,d1951-0KAC2017015010 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.14 no.1(2001년 1월), p. 58-63q14:1<58w(011001)KSE199800338,x1226-794510aJang, Sun-Joo10aPark, Jong-Hwa10aYeo, Choel-Ho10aChung, Hong-Bay