01477nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052004000093245024700133300003200380545007500412545005500487545005500542545006600597653016400663700001900827700004800846700001400894700004800908773015800956900001901114900001501133900001901148900002001167KSI00005435720040207083318031010s2000    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc13(9)-13(12)00a적외선 흡수층 응용을 위한 다층 산화 바나듐 박막의 특성에 관한 연구=x(A)study for the characteristics of multi-layer VOx thin films for applying to IR absorbing layer/d박철우,e문성욱,e오명환,e정홍배  ap. 859-864:b삽도;c26 cm  a박철우, KIST 마이크로시스템 연구센터bcw2001@hanmail.net  a문성욱, KIST 마이크로시스템 연구센터  a오명환, KIST 마이크로시스템 연구센터  a정홍배, 광운대학교 공과대학 전자재료공학과  a적외선a산화바나듐박막aIRaInfraredaMEMSaMicroelectromechanical systemaMicrobolometeraTCRaTemperature coefficient of resistanceaVOx thin films1 a박철우4aut1 a문성욱,g文盛昱,d1961-0KAC2016370841 a오명환1 a정홍배,g鄭鴻倍,d1951-0KAC2017015010 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.13 no.10(2000년 10월), p. 859-864q13:10<859w(011001)KSE199800338,x1226-794510aPark, Chul Woo10aMoon, Sung10aOh, Myung Hwan10aChung, Hong Bay