01790nam a2200361 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052004000093245028400133300003200417545004400449545009700493545005300590545005900643545005900702545004700761653016100808700001900969700004800988700001401036700004801050700001401098700004801112773015801160900001901318900001701337900001801354900001801372900001901390900001901409KSI00005435020040207083317031010s2000    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc13(9)-13(12)00a탈이온수의 압력과 정제된 N₂가스가 ILD-CMP 공정에 미치는 영향=xInfluence of DI water pressure and purified N₂ gas on the inter level dielectric-chemical mechanical polishing process/d김상용,e이우선,e서용진,e김창일,e장의구,e박진성  ap. 812-816:b삽도;c26 cm  a김상용, 아남반도체 FAB사업부  a이우선, 조선대학교 공과대학 전기제어계측공학부bwslee@mail.chosun.ac.kr  a서용진, 대불대학교 전기전자공학부  a김창일, 중앙대학교 전자전기제어공학부  a장의구, 중앙대학교 전자전기제어공학부  a박진성, 조선대학교 재료공학부  a탈이온수aN₂aCMPaChemical mechanical polishingaILDaInter layer dielectricaHot spota과도연마aDIW 압력aDeionized water 압력aEdge attack1 a김상용4aut1 a이우선,g李愚宣,d1952-0KAC2017004021 a서용진1 a김창일,g金昌日,d1960-0KAC2018385741 a장의구1 a박진성,g朴珍成,d1962-0KAC2012095080 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.13 no.10(2000년 10월), p. 812-816q13:10<812w(011001)KSE199800338,x1226-794510aKim, Sang-Yong10aLee, Woo-Sun10aSeo, Yong-Jin10aKim, Chang-il10aChang, Eui-Goo10aPark, Jin Sung