01841nam a2200325 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245039200132300003100524545009300555545007100648545007100719545005300790545007100843653016300914700005301077700004801130700001401178700003601192700003601228773015301264900002001417900001901437900001901456900002001475900002001495KSI00005423920040206083302031010s2000    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc13(1)-13(4)00a감압화학증착의 이단계 성장으로 실리콘 기판 위에 증착한 in-situ 인 도핑 다결정 실리콘 박막의 미세구조 조절=x Manipulation of microstructure of in-situ phosphotus-doped poly silicon films deposited on silicon substrate using two step growth of reduced pressure chemical vapor deposition/d김홍승,e심규환,e이승윤,e이정용,e강진영  ap. 95-100:b삽도;c26 cm  a김홍승, 한국전자통신연구원 회로소자기술연구소bhongseung@etri.re.kr  a심규환, 한국전자통신연구원 회로소자기술연구소  a이승윤, 한국전자통신연구원 회로소자기술연구소  a이정용, 한국과학기술원 재료공학과  a강진영, 한국전자통신연구원 회로소자기술연구소  a감압화학증착a실리콘박막aPoly-SiaDoped poly silicon filmsaIn-situ phosphorus dopingaReduced pressure chemical vapor depositionaTwo step growth1 a김홍승,g金泓承,d1968-0KAC2017045094aut1 a심규환,g沈揆煥,d1961-0KAC2017060791 a이승윤1 a이정용,d1951-0KAC2013292771 a강진영,d1953-0KAC2018494800 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.13 no.2(2000년 2월), p. 95-100q13:2<95w(011001)KSE199800338,x1226-794510aKim, Hong-Seung10aShim, Kyu-Hwan10aLee, Seung-Yun10aLee, Jeong-Yong10aKang, Jin-Young