01584nam a2200325 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245022200132300003000354545007300384545005800457545005800515545005300573545005800626653016100684700005300845700001400898700001400912700003600926700005200962773015201014900001701166900001801183900001901201900001801220900002001238KSI00005423520040206083301031010s2000    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc13(1)-13(4)00aPLD법에 의해 제조된 SBT 박막의 구조 및 전기적 특성=xStructural and electrical characteristics of the SBT thin films prepared by PLD method/d마석범,e오형록,e김성구,e장낙원,e박창엽  ap. 66-74:b삽도;c26 cm  a마석범, 용인송담대학 전기설비과bsbma@dragon.ysc.ac.kr  a오형록, 연세대학교 전기·컴퓨터공학과  a김성구, 연세대학교 전기·컴퓨터공학과  a장낙원, 삼성전자 반도체연구소 TD팀  a박창엽, 연세대학교 전기·컴퓨터공학과  aPLD법aSBT 박막a강유전체 박막a강유전체 메모리aSrBi₂Ta₂<TEX>$$O_9$$</TEX>aSBTaFerroelectric thin filmsaPulse laser depositionaFRAM1 a마석범,g馬碩範,d1962-0KAC2017212494aut1 a오형록1 a김성구1 a장낙원,d1967-0KAC2017069811 a박창엽,g朴昌燁,d1935-20230KAC2013074120 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.13 no.1(2000년 1월), p. 66-74q13:1<66w(011001)KSE199800338,x1226-794510aMah, Suk-Bum10aOh, Huung-Rok10aKim, Seong-Goo10aJang, Nak-Won10aPark, Chang-Yub