01757na  a2200325   4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245026300132300003000395545007300425545005300498545004500551545005300596545005800649653025200707700005300959700003601012700003601048700004801084700005201132773015201184900001701336900001801353900001901371900002101390900002001411KSI00005423420040114083301031010s2000    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc13(1)-13(4)00aPLD법에 의한 고집적 DRAM용 PLZT 박막의 레이저 에너지 밀도에 따른 특성=xLaser energy density dependence characteristics of PLZT thin films prepared by a PLD for memory device/d마석범,e장낙원,e백동수,e최형욱,e박창엽  ap. 60-65:b삽도;c26 cm  a마석범, 용인송담대학 전기설비과bsbma@dragon.ysc.ac.kr  a장낙원, 삼성전자 반도체연구소 TD팀  a백동수, KIST 박막기술연구센터  a최형욱, 경원대학교 전기전자공학부  a박창엽, 연세대학교 전기·컴퓨터공학과  a레이저a에너지밀도aPLD법a레이저 에너지 밀도a다이나믹 메모리a유전특성a누설전류특성a(Pb,La)(Zr,Ti)O₃(PLZT)aPulsed laser depositionaLaser energy densityaDRAMaDielectric propertiesaLeakage current density1 a마석범,g馬碩範,d1962-0KAC2017212494aut1 a장낙원,d1967-0KAC2017069811 a백동수,d1964-0KAC2013202451 a최형욱,g崔炯煜,d1964-0KAC2018M10951 a박창엽,g朴昌燁,d1935-20230KAC2013074120 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.13 no.1(2000년 1월), p. 60-65q13:1<60w(011001)KSE199800338,x1226-794510aMah, Suk-Bum10aJang, Nak-Won10aPaik, Dong-Soo10aChoi, Hyung-Wook10aPark, Chang-Yub