01439nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003300093245019400126300003200320545006000352545006000412545006000472545009000532653016300622700001400785700005300799700001400852700004800866773015500914900002001069900002101089900002001110900001901130KSI00005412420040114083246031010s1999    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc12(1)00aPt/SBT/YMnO₃/Si(MFIS)-FET 구조를 위한 YMnO₃박막의 영향=xEffect of YMnO₃ thin films for Pt/SBT/YMnO₃/Si(MFIS)-FET structure/d최규정,e신웅철,e양정환,e윤순길  ap. 517-522:b삽도;c26 cm  a최규정, 충남대학교 공과대학 재료공학과  a신웅철, 충남대학교 공과대학 재료공학과  a양정환, 충남대학교 공과대학 재료공학과  a윤순길, 충남대학교 공과대학 재료공학과bsgyoon@hanbat.chungnam.ac.kr  a박막aMFIS 전계효과 트랜지스터a급속 열처리a비 휘발성 기억소자a강유전체aMFISFETaRTAaNon-volatile memory deviceaFerroelectric1 a최규정1 a신웅철,g申雄澈,d1970-0KAC2018440214aut1 a양정환1 a윤순길,g尹順吉,d1959-0KAC2017001730 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.12 no.6(1999년 6월), p. 517-522q12:6<517w(011001)KSE199800338,x1226-794510aChoi, Kyu-Jeong10aShin, Woong-Chul10aYang, Jung-Hwan10aYoon, Soon-Gil