01593nam a2200325 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003300093245026500126300003200391545005300423545004500476545007200521545005300593545005300646653020700699700001900906700001400925700004800939700001400987700001401001773015801015900001901173900001901192900001801211900001901229900001901248KSI00005401520040205083231031010s1998    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc11(7)00a고온 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 전기적 특성과 누설전류 특성=xElectrical characteristics and leakage current mechanism of high temperature poly-Si thin film transistors/d이현중,e이경택,e박세근,e박우상,e김형준  ap. 918-923:b삽도;c26 cm  a이현중, 인하대학교 전자재료공학과  a이경택, 해태전자 통신연구3팀  a박세근, 인하대학교 전자재료공학과bsgpark@inha.ac.kr  a박우상, 인하대학교 전자재료공학과  a김형준, 홍익대학교 금속재료공학과  a실리콘a박막트랜지스터a다결정 실리콘 박막트랜지스터a누설전류aPoly-Si TFTaThin film transistorsaLeakage currentaThermal generation currentaFrenkel-poole emission current1 a이현중4aut1 a이경택1 a박세근,g朴世根,d1953-0KAC2016357741 a박우상1 a김형준0 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.11 no.10(1998년 10월), p. 918-923q11:10<918w(011001)KSE199800338,x1226-794510aLee, Hyun Jung10aLee, Kyung Tak10aPark, Se-Geun10aPark, Woo Sang10aKim, Hyung Jun