01722nam a2200361 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003300093245022300126300003200349545009900381545005300480545005300533545005300586545005300639545005300692653017300745700001900918700004800937700001400985700002800999700001401027700004801041773015501089900001801244900002001262900002101282900002001303900002001323900001701343KSI00005395520040205083223031010s1998    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc11(7)00a고주파 반응성 스퍼터링에 의해 제작된 InN 박막의 특성=xCharacteristics of InN thin films fabricated by RF reactive sputtering/d김영호,e최영복,e정성훈,e홍필영,e문동찬,e김선태  ap. 527-534:b삽도;c26 cm  a김영호, 반도체제조장비국산화연구센터 호서대학교brrc@dogsuri.hoseo.ac.kr  a최영복, 광운대학교 전자재료공학과  a정성훈, 광운대학교 전자재료공학과  a홍필영, 광운대학교 전자재료공학과  a문동찬, 광운대학교 전자재료공학과  a김선태, 대전산업대학교 재료공학과  a고주파a스퍼터링a고주파 반응성 스퍼터링a표면 산란a결정립계 산란aRF reactive sputteringaInNaSurface scatteringaGrain bounday scattering1 a김영호4aut1 a최영복,g崔永福,d1959-0KAC2017021821 a정성훈1 a홍필영0KAC2020656511 a문동찬1 a김선태,g金善泰,d1956-0KAC2018234020 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.11 no.7(1998년 7월), p. 527-534q11:7<527w(011001)KSE199800338,x1226-794510aKim, Young-Ho10aChoi, Young-Bok10aChung, Sung-Hoon10aHong, Pil-Young10aMoon, Dong-Chan10aKim, Sun-Tae