01779na  a2200361   4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003300093245023900126300003200365545007000397545004700467545006200514545006200576545006200638545005300700653018700753700005300940700004800993700003601041700004801077700001401125700001401139773015501153900001801308900001901326900001901345900001701364900001701381900001901398KSI00005395320040205083223031010s1998    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc11(7)00aAl 합금막의 식각후 CHF₃처리에 의한 부식억제 효과=x(The)effect of the anti-corrosion by CHF₃treatment after plasma etching of Al alloy films/d김창일,e권광호,e윤용선,e백규하,e남기수,e장의구  ap. 517-521:b삽도;c26 cm  a김창일, 중앙대학교 전자전기공학부bcikim@cau.ac.kr  a권광호, 한서대학교 전자공학과  a윤용선, 한국전자통신연구원 반도체연구단  a백규하, 한국전자통신연구원 반도체연구단  a남기수, 한국전자통신연구원 반도체연구단  a장의구, 중앙대학교 전자전기공학부  aAl 합금막a부식억제a알루미늄a건식 식각a금속 식각a부식a플라즈마a부동태층aAluminumaDry etchingaMetal etchingaCorrosionaPlasmaaPassivation layer1 a김창일,g金昌日,d1960-0KAC2018385744aut1 a권광호,g權光虎,d1959-0KAC2017082641 a윤용선,d1957-0KAC2018542931 a백규하,g白圭夏,d1961-0KAC2017101561 a남기수1 a장의구0 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.11 no.7(1998년 7월), p. 517-521q11:7<517w(011001)KSE199800338,x1226-794510aKim, Chang-Il10aKwon, Kwang-Ho10aYoon, Yong-Sun10aBaek, Kyu-Ha10aNam, Kee-Soo10aChang, Eui-Goo