01919na a2200361 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003300093245032300126300003200449545007000481545004700551545006200598545006200660545006200722545006200784653020300846700005301049700004801102700004801150700003601198700004801234700001401282773015501296900001801451900001901469900001701488900001801505900001701523900001701540KSI00005390420040205083216031010s1998 ulka 000 kor  a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc11(1)00aAl(Cu 1%)막의 플라즈마 시각후 부식 억제를 위한 S$$F_6$$ 처리시 fluorine passivation 효과=x(The)effects of fluorine passivation on S$$F_6$$ treatment for Anti-corrosion affer Al(Cu 1%) plasma etching/d김창일,e권광호,e백규하,e윤용선,e김상기,e남기수 ap. 203-207:b삽도;c26 cm a김창일, 중앙대학교 전자전기공학부bcikim@cau.ac.kr a권광호, 한서대학교 전자공학과 a백규하, 한국전자통신연구원 반도체연구단 a윤용선, 한국전자통신연구원 반도체연구단 a김상기, 한국전자통신연구원 반도체연구단 a남기수, 한국전자통신연구원 반도체연구단 a플라즈마a부식억제a플라즈마 식각a금속 식각a알류미늄 합금a부동태층a부식aPlasma etchingaMetal etchingaAl alloyaPassivation layeraCorrosionaFluorine passivation1 a김창일,g金昌日,d1960-0KAC2018385744aut1 a권광호,g權光虎,d1959-0KAC2017082641 a백규하,g白圭夏,d1961-0KAC2017101561 a윤용선,d1957-0KAC2018542931 a김상기,g金相基,d1957-0KAC2018453501 a남기수0 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.11 no.3(1998년 3월), p. 203-207q11:3<203w(011001)KSE199800338,x1226-794510aKim, Chang-Il10aKwon, Kwang-Ho10aBaek, Kyu-Ha10aYun, Yong-Sun10aKim, Sang-Gi10aNam, Kee-Soo