01325nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003300093245020400126300003100330545006700361545006700428545006700495545007300562653007500635700001900710700001400729700004800743700001400791773015300805900002100958900001900979900001800998900001901016KSI00005388820040205083214031010s1998    ulka          000   kor    a0110011 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc11(1)00a고밀도 산소 플라즈마를 이용한 감광제 제거공정에 관한 연구=x(A)Study on photoresist stripping using high density oxygen plasma/d정형섭,e이종근,e박세근,e양재균  ap. 95-100:b삽도;c26 cm  a정형섭, 인하대학교 반도체 및 박막기술연구소  a이종근 ,인하대학교 반도체 및 박막기술연구소  a박세근, 인하대학교 반도체 및 박막기술연구소  a양재균, 피에스케이(주) 부설연구소bsgpark@munhak.ac.kr  a고밀도산소a감광제aICPaPlasmaaPhotoresist strippingaAshing1 a정형섭4aut1 a이종근1 a박세근,g朴世根,d1953-0KAC2016357741 a양재균0 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.11 no.2(1998년 2월), p. 95-100q11:2<95w(011001)KSE199800338,x1226-794510aJung, Hyoung-Sup10aLee, Jong-Geun10aPark, Se-Geun10aYang, Jae-Kyun