01620na  a2200325   4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003300093245022000126300003000346545005400376545004700430545004700477545004700524545004700571653018800618700005300806700004800859700003600907700004800943700005200991773015201043900002101195900001801216900001901234900002101253900002001274KSI00005388220040114083213031010s1998    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc11(1)00aSol-gel법으로 제작된 광메모리영역 PLZT박막의 전기적 특성=x(A)study on the electrical characteristics of optical memory PLZT thin films/d최형욱,e장낙원,e백동수,e박정흠,e박창엽  ap. 57-61:b삽도;c26 cm  a최형욱, 경원대학교 전기전자 공학부  a장낙원, 연세대학교 전기공학과  a백동수, 연세대학교 전기공학과  a박정흠, 연세대학교 전기공학과  a박창엽, 연세대학교 전기공학과  a광메모리영역aPLZT박막a광메모리a졸-겔법a전기적 특성a광학 특성aPLZT Thin filmaOptical memoryaSol-gelaElectrical characteristicsaOptical characteristics1 a최형욱,g崔炯煜,d1964-0KAC2018M10954aut1 a장낙원,g張樂元,d1967-0KAC2017069811 a백동수,d1964-0KAC2013202451 a박정흠,g朴正欽,d1967-0KAC2018315821 a박창엽,g朴昌燁,d1935-20230KAC2013074120 t전기전자재료학회논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.11 no.1(1998년 1월), p. 57-61q11:1<57w(011001)KSE199800338,x1226-794510aChoi, Hyung-Wook10aJang, Nak-Won10aPaik, Dong-Soo10aPark, Jeong-Heum10aPark, Chang-Yub