01065na  a2200193   4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002300093245020800116300003200324545006000356653020000416700005300616773016400669856002100833900001700854KSI00011745420031230170344031204s1996    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a505b성132c47(2)00a금속-산화막-반도체 소자의 계면전하 발생에 미치는 정공과 수소의 역할=x(The)roles of hydrogen and trapped holes in the generation of interface traps in MOS devices/d노용한  ap. 253-260:b삽도;c26 cm  a노용한, 성균관대학교 전자공학과 조교수  a금속-산화막-반도체a금속a산화막a반도체a소자a계면a계면전하a전하a발생a정공a수소aRolesaHydrogenaTrappedaHolesaGenerationaInterfaceaTrapsaMOSaDevices1 a노용한,g盧用翰,d1958-0KAC2016368454aut0 t成均館大學校論文集. 科學技術篇.d성균관대학교 과학기술연구소.g47집 2호(1996년 10월), p. 253-260q47:2<253w(011001)KSE19950509440u19596594aKd00210aRoh, Yonghan