01316nam a2200337 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002300093245017500116300003100291545004100322545004100363545004100404545004100445545004500486653007500531700001900606700001400625700004800639700001400687700001400701773015800715856002000873900001700893900001500910900001800925900001600943900001900959KSI00007844520040114095754220311s1993    gbka          000   kor    a0110010 akorbeng01a405b영373ㄱc1300aDLTS에 의한 열처리시킨 HB-GaAs에서의 깊은준위=xDeep levels in thermal annealed HB-GaAs by DLTS/d崔玄泰,e金仁洙,e金相基,e孫貞植,e裵仁鎬  ap. 93-101:b삽도;c26 cm  a최현태, 이과대학 물리학과  a김인수, 이과대학 물리학과  a김상기, 이과대학 물리학과  a손정식, 이과대학 물리학과  a배인호, 한국 전자통신 연구소  aHB-GaAsaDLTSa열처리a깊은준위aDeep levelsaThermalaAnnealed1 a김상기4aut1 a배인호1 a손정식,g孫貞植,d1967-0KAC2014285541 a김인수1 a최현태0 t基礎科學硏究-嶺南大學校 基礎科學硏究所.d嶺南大學校 基礎科學硏究所.g13卷(1993년), p. 93-101q13<93w(011001)KSE19950078740u2008549aKd00210aKim, Sang-Gi10aBae, In-Ho10aSon, Jung-Sik10aKim, In-Soo10aChoi, Hyun-Tai