01550nam a2200301 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002600093245027600119300003200395545008500427545008500512545008500597545008500682653016500767700001400932700001400946700001400960700005300974773014201027856002001169900001501189900001501204900001401219900001501233KSI00006617220031208204658031118s1996    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a530.05b고392ㅅc3200aIGBT소자의 래치 업 특성 개선을 위한 구조적 설계 방안과 전기적 특성에 관한 고찰=x(A)study on the structural design and the electrical characteristics of power IGBT for improved latch up effect/d강이구,e이현석,e성만영,e박성희  ap. 135-141:b삽도;c26 cm  a강이구, 고려대학교 전기공학과 화합물 반도체 및 CAD 연구실  a이현석, 고려대학교 전기공학과 화합물 반도체 및 CAD 연구실  a성만영, 고려대학교 전기공학과 화합물 반도체 및 CAD 연구실  a박성희, 호서대학교 전기공학과 화합물 반도체 및 CAD 연구실  aIGBTa소자a래치업a특성a개선a구조a설계a방안a전기a특성aStructuralaDesignaElectricalaCharacteristicsaPoweraImprovedaLatchaEffect1 a박성희1 a성만영1 a이현석1 a강이구,g姜二求,d1967-0KAC2016364784aut0 t工學論文集.d高麗大學校 生産技術硏究所.g통권32호(1996년 2월), p. 135-141q32<135w(011001)KSE199601166,x1226-386940u3308348aKd00010aPark, S.H.10aSung, M.Y.10aLee, H.S.10aKang, E.G.