01117nam a2200217 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002400093245020200117300003200319545006900351545008800420653016000508700001900668700004800687773012900735900001800864900001700882KSI00002321620031203172348031020s2002    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a431.4705b한597ㅈ00aSi(111)-H 표면의 전기화학적 제조에 관한 전기화학적 주사터널링현미경법 연구=xEC-STM studies on electrochemical preparation of Si(111)-H surfaces/d배상은,e이치우  ap. 111-116:b삽도;c29 cm  a배상은, 고려대학교 자연과학대학 신소재화학과  a이치우, 고려대학교 자연과학대학 신소재화학과bcwlee@korea.ac.kr  a전기a전기화학a화학a주사a주사터널링현미경법aEC-STMaSi(111)-HaElectrochemicalaPreparationaSurfacesaElectrochemical hydrogenation1 a배상은4aut1 a이치우,g李致雨,d1954-0KAC2018055590 t전기화학회지.d한국전기화학회.gVol.5 No.3(2002년 8월), p. 111-116q5:3<111w(011001)KSE199901118,x1229-193510aBae, Sang-Eun10aLee, Chi-Woo