01494nam a2200265 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003000093245026200123246003900385300003200424545008800456545006800544545006800612653024500680700005300925700004800978700001401026773012901040900001901169900001901188900002101207KSI00002232420080509143607031017s2000    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a431.4705b한597ㅈc3(1)00a다공성 그물구조 음극을 이용한 구리 전착에 관한 연구.n1,p전해질 중의 구리 이온 농도의 영향=xElectrodeposition of copper on porous reticular cathode, Effect of cupric ion concentration/d이관희,e이화영,e정원용30aEffect of cupric ion concentration  ap. 152-156:b삽도;c29 cm  a이관희, 한국과학기술연구원 금속공정연구센터bkwanhyi@kist.re.kr  a이화영, 한국과학기술연구원 금속공정연구센터  a정원용, 한국과학기술연구원 금속공정연구센터  a다공성a다공성그물a그물a그물구조a구조a음극a이용a구리a구리전착a전착a전해질a이온농도a농도aEffectaCupricaIonaConcentrationaElectrodepositionaCopperaPorous reticular cathodeaThrowing power1 a이관희,g李寬熙,d1973-0KAC2018499154aut1 a이화영,g李華永,d1957-0KAC2018462811 a정원용0 t전기화학회지.d한국전기화학회.gVol.3 No.3(2000년 8월), p. 152-156q3:3<152w(011001)KSE199901118,x1229-193510aLee, Kwang Hyi10aLee, Hwa Young10aJeung, Won Young